威福邦®HT-10.11和HT-10.12材料

临时粘接材料
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威福邦®HT-10.11和HT-10.12材料

威福邦®HT-10.11和HT-10.12临时粘合材料使得背端直接(BEOL)用标准半导体设备加工超薄晶片。

威福邦®HT-10.11和HT-10.12材料是用于MEMS和3-D晶圆级包装应用的临时晶片键合解决方案的有机涂层。威福邦®HT-10.11材料通过利用有效的粘合和随后的热滑动,化学*,机械**或激光**凹陷,通过使用有效的粘合和后侧标准光刻处理,可以通过基板变薄和背面标准光刻处理来支持。< 75 μm. WaferBOND®HT-10.12材料使热滑动剥离粘膜厚度≥75μm。这些材料是专门用于薄晶片处理(TWH),通过硅通孔(TSV)的透露,再分配层(RDL)的产生或高达250°C的过程。

*化学发布借方方法需要穿孔载体晶片或小模具尺寸,如果切割后释放

**机械和激光借方方法需要兼容的释放材料

蜡替代

威福邦®HT-10.11和HT-10.12材料是使用标准半导体设备实现超端晶片的后端(BEOL)加工的有机涂层。这些材料是一个很好的选择典型蜡粘合剂的替代溶液。威福邦®HT-10.11和HT-10.12材料具有显着的优势,因为它们可以应用一款涂层工艺,提高吞吐量,简化清洁和缩短处理时间。

特性 威福邦®HT-10.11或HT-10.12材料
厚度范围 〜10 - 35μm 20μm - 130μm
涂料吞吐量 需要多种外套 单涂层工艺
键合温度范围 95°C.– 110°C 130°C - 180°C
剥夺温度范围 95°C.– 110°C 150°C - 200°C
热稳定温度范围 < 120°C ≤250°C

好处

借方方法

威福邦®HT-10.11材质与以下借方方法兼容:

与这些晶圆骨牌®材料,你可以:

  • 在高达250°C的温度下加工超薄晶片
  • 保护晶片边缘免受碎裂
  • 保护电路由苛刻的化学蚀刻剂
  • 在最终变薄的晶片上提供无空隙界面,用于光滑的表面

威福邦®HT-10.11和HT-10.12材料旋转速度曲线:
HT-10.11和HT-10.12旋转速度曲线图

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